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该设备能够在-70℃的低温下运转，用来生成400层以上堆叠的新式3D NAND。
据了解，SK海力士此次并未直接引入设备，而是挑选将测验晶圆发送到东京电子的实验室做评价，以验证新设备在出产中的实践体现。这一行动显现了SK海力士在新技能引入上的慎重情绪和对质量的严厉把控。
与传统的蚀刻工艺比较，东京电子的这款低温蚀刻设备在作业时分的温度上形成了鲜明对比。传统蚀刻工艺通常在0℃到30℃的温度范围内进行，而这款新设备能在-70℃的低温下运转，这样的低温度的环境为出产更高功能的3D NAND供给了或许。
据东京电子供给的论文数据，这款新的蚀刻机能在短短33分钟内完结10微米深的高深度比蚀刻，功率比现有东西高出三倍以上。这一明显的技能进步不只提高了3D NAND的出产功率，还有望逐渐推进闪存技能的开展。
现在，SK海力士的321层3D NAND选用了三重仓库结构。而选用东京电子的新设备后，该公司或许完成以单仓库或双仓库的方法构建400层的3D NAND，这将逐渐提高出产功率。但是，这一方针的完成还需等候新设备在可靠性及功能一致性方面的进一步验证。
值得一提的是，东京电子的这款低温蚀刻设备在环保方面也体现出色。它选用氟化氢（HF）气体作为蚀刻介质，相较于传统体系运用的氟碳化物气体，具有更低的温室效应，为半导体职业的绿色开展供给了有力支撑。
此外，全球半导体巨子三星也在验证这一新技能。与SK海力士不同，三星挑选了直接引入东京电子的新设备做测验，显现出其对新技能的高度重视和积极情绪。
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