半导体硅晶圆等离子体清洗技术
随着半导体技术的持续不断的发展，在集成电路的研究和制作的步骤中，微电子行业对高性能硅晶圆半导体芯片的要求也慢慢变得高，晶圆表面的颗粒和金属杂质沾污会极度影响器件的质量和成品率，所以需做到硅晶圆材料表面到洁净度高，清理洗涤效果高，清洗效率高，但除去附着在晶圆表面上的有害污染物质的同时，也要求不对晶圆表面造成损伤。因此，等离子清洗技术已成为半导体元器件首选的清洗方式。
等离子体清洗具有工艺简单、操作便捷、没有废料处理和环境污染等问题。但它不能去除碳和其它非挥发性金属或金属氧化物杂质。等离子清洗常用于光刻胶的去除工艺中，在等离子体反应系统中通入少量的氧气，在强电场作用下，使氧气产生等离子体，迅速使光刻胶氧化成为可挥发性气体状态物质被抽走。
等离子活化能增加晶圆表面的粗糙度，提高晶圆的附着力和涂覆性能。此外，晶圆表面等离子活化还能改变晶圆表面的化学性质，如引入特定的官能团，实现表面的功能化改性。
目前，在硅晶圆半导体材料表面清洗技术应用过程中，采用等离子体清洗技术，已经具备了较为丰富的应用经验和实际案例。这种清洗技术在去胶工艺中具有操作方便、效率高、表面干净、无划伤、有利于确定保证产品的质量等优点，而且它不用酸、碱及有机溶剂等。
等离子体清洗不仅能清洗晶圆表面，还能大大的提升表面活性，提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，亲水性等，优势十分明显，因此，晶圆表面等离子活化在半导体、光电子、材料科学等领域应用前景极其广泛，也慢慢变得受到人们重视。返回搜狐，查看更加多
